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ECM chip

제품소개

ECM Transistor/IC는 음성신호를 전기신호로 변환하는 역할을 수행하는 간단한 구조의 소자입니다.
주요 기능은 작은 크기의 음성을 받아들여, 전기적인 신호로 변환할 수 있는 큰 입력 임피던스, 저 잡음과 큰 감도, 그리고 사용자로 부터 소자를 보호하기 위한 높은 ESD가 요구되고 있습니다.
ECM Transistor/IC는 오랜 기간 동안 마이크로폰 시장에 자리잡고 있는 제품으로, 높은 생산성과 낮은 가격으로 인해 지속적인 시장점유율을 유지하고 있습니다.

특성 및 구조

진동판, 정전필름, ECM Transistor/IC로 구성 음성신호에 따른 진동판과 정전필름 사이의 캐패시터의 용량 변화를 ECM Transistor/IC가 전기신호로 변환

  • 소형 박막형
  • 저 잡음형
  • 고 감도형
  • 고 ESD형

적용 범위

  • Smartphone
  • Laptop
  • Headset / Earphone
  • Digital Camera
  • AI speaker

제품 목록

Part No Package [Ta = 25 ℃, VDD = 2.0V,RL = 2.2kΩ, CIN = 5pF] Dimension
W x L x H (mm)
Type
Gain [dB](Typ.) Output Noise [dB](Typ.)
RJN1123 P-1208 Typ. -1.5dB Max. -103dB 1.2 X 0.8 X 0.33 ECM FET
RJN1123K P-1208 Typ. -1.5dB Max. -114dB 1.2 X 0.8 X 0.33 ECM FET
RJN2123 P-1208 Typ. 0.5dB Typ. -102dB 1.2 X 0.8 X 0.33 ECM FET
RJN2123K P-1208 Typ. 0.5dB Max. -106dB 1.2 X 0.8 X 0.33 ECM FET
RJN2123G P-1208 Typ. 0.5dB Typ. -102dB 1.2 X 0.8 X 0.33 ECM FET
RJN5123 P-1208 Typ. 3.4dB Typ. -103dB 1.2 X 0.8 X 0.33 ECM FET
RJN5123K P-1208 Typ. 3.4dB Max. -102dB 1.2 X 0.8 X 0.33 ECM FET
RJN112304S P-120804 Typ. -1.5dB -105dB ~ -98dB 1.2 X 0.8 X 0.40 ECM FET
RS903 P-1009 Typ. 1.95dB Typ. -102dB 0.9X 1.0 X 0.33 ECM FET
RS903T P-1009T Typ. 1.95dB Typ. -102dB 0.9 X 1.0 X 0.27 ECM FET
RS905T P-1009T Typ. 3.4dB Typ. -103dB 0.9 X 1.0 X 0.27 ECM FET
RJN595S SOT-23S Typ. -1.5dB Max. -110dB 2.9 X 1.5 X 1.10 ECM FET
RJN5123FTK P-1208T Typ. 3.4dB Typ. -104dB 1.2 X 0.8 X 0.33 ECM FET (Built-In RF Noise Filter)
RJN1123F04 P-120804 Typ. -1.5dB Max. -103dB 1.2 X 0.8 X 0.40 ECM FET (Built-In RF Noise Filter)
RJN1123F04S P-120804 Typ. -1.5dB Max. -103dB 1.2 X 0.8 X 0.40 ECM FET (Built-In RF Noise Filter)
RJN2123F04 P-120804 Typ. 0.5dB Typ. -102dB 1.2 X 0.8 X 0.40 ECM FET (Built-In RF Noise Filter)
RJN2123F04K P-120804 Typ. 0.5dB Max. -106dB 1.2 X 0.8 X 0.40 ECM FET (Built-In RF Noise Filter)
RJN5123F04K P-120804 Typ. 3.4dB Typ. -104dB 1.2 X 0.8 X 0.40 ECM FET (Built-In RF Noise Filter)
RJN1123FW04K P-120804 Typ. -1.5dB Max. -108dB 1.2 X 0.8 X 0.40 ECM FET (Built-In RF Noise Filter)
RJN2123FW04K P-120804 Typ. 0.5dB Max. -106dB 1.2 X 0.8 X 0.40 ECM FET (Built-In RF Noise Filter)
RJN2308 P-1208 4.0dB ~ 7.5dB Typ. -100dB 1.2 X 0.8 X 0.33 High Gain ECM IC
RJN2316 P-1208 8.5dB ~ 11.5dB Typ. -97dB 1.2 X 0.8 X 0.33 High Gain ECM IC
RJN2324 P-1208 13.0dB ~ 16.0dB Typ. -90dB 1.2 X 0.8 X 0.33 High Gain ECM IC
RS908 P-1009 6.5dB ~ 9.5dB Typ. -100dB 0.9X 1.0 X 0.33 High Gain ECM IC
RS908T P-1009T 6.5dB ~ 9.5dB Typ. -100dB 0.9 X 1.0 X 0.27 High Gain ECM IC
RS916 P-1009 11.5dB ~ 14.5dB Typ. -97dB 0.9X 1.0 X 0.33 High Gain ECM IC
RS916T P-1009T 11.5dB ~ 14.5dB Typ. -97dB 0.9 X 1.0 X 0.27 High Gain ECM IC
RS924 P-1009 17.5dB ~ 20.5dB Typ. -90dB 0.9X 1.0 X 0.33 High Gain ECM IC

제품소개

MEMS Microphone은 기존의 ECM을 대체할 목적으로 개발 된 제품입니다.
기존 제품에 비해 상대적으로 다소 높은 가격이지만, 안정적인 특성유지를 가장 큰 장점으로 내세워 시장 점유를 높여가고 있는 제품입니다. 각종 특성은 기존 제품인 ECM과 동일하게 저 잡음, 고감도, RF Noise Immunity, 높은 ESD가 요구되고 있습니다.
스마트폰 시장을 포함한 많은 시장에서 MEMS microphone의 수요는 점점 증가하고 있으며, 당사에서도 수년간의 연구개발 끝에 제품을 출시하여 판매량을 높여가고 있는 제품입니다.

제품특성

  • 반도체공정 적용한 진동판의 제작으로 안정적인 구조와 음향성능 개선
  • 초소형,박막형의 진동판 구현을 통한 감도 개선
  • 고 감도, 저 잡음 특성을 이용한 High SNR
  • 감도의 변동률이 작음
  • SMD 형태의 모듈로 자동조립을 통한 대량생산에 적합

제품구성

적용 범위

  • Smartphone
  • Laptop
  • Headset / Earphone
  • Digital Camera
  • AI speaker

제품 목록

Part No [Ta = 25 ℃, VDD = 2.0V,RL = 2.2kΩ, CIN = 5pF] Dimension
W x L x H (mm)		 Max. Current
[uA]		 Type
Gain [dB](Typ.) Output Noise [dB](Typ.)
RF2718-C01 -42/-38 -98 ~ -100 1.85 x 2.75 x 0.95 150 MEMS Microphone.
RF3722-C01 -42/-38 -98 ~ -100 2.24 x 3.76 x 1.10 150 MEMS Microphone.
RF3729-C01 -42/-38 -98 ~ -100 2.95 x 3.76 x 1.10 150 MEMS Microphone.

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