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Power semiconductor

GaN + SiC 器件

  主要特性 应用系统时的效果
GaN/SiC材料特性
  • Si 相比
  • 阻力1/10
  • 开关特性 100次
  • Si 相比
  • 阻力1/10
  • 开关特性 100次
GaN+SiC功率器件特性
  • Si 准备
    • 阻力1/10
    • 开关特性 100次
  • Si 准备
    • 阻力1/10
    • 开关特性 100次
RFsemi 功率封装
  • 叠层式散热器内置型
    • VVSHS* 封装
  • 烟囱效应散热结构
  • 确保原始专利
  • 叠层式散热器内置型
    • VSHS* 封装
  • 烟囱效应散热结构
  • 确保原始专利

VSHS* : Variable Stack Heat Sink Package

- RFsemi 确保原创专利

- 堆叠式散热器封装

  • 烟囱效应散热(VSHS)

  • VSHS* 封装

GaN+SiC模块化功率器件

它由 RFsemi 使用 GaN 和 SiC 的模块化功率器件组成。采用已申请专利的“叠层散热封装”作为一项独立技术,具有以下特点。

1. 通过世界一流的散热特性实现小型化和高效率
2. 通过低电阻/低电感实现高速开关

GaN 功率器件 GaN 功率器件 + 栅极保护电路 GaN 功率器件 + 栅极保护电路 + Boost SiC SBD

GaN 功率器件产品系列

Part Number. Configuration VDS (V) RDS_ON (mW) QG (nC) ID (A) Status
RP10G73A Single E GaN 100 73 0.7 1.7 发展
RP10G30A Single E GaN 100 30 1.6 6 发展
RP10G15A Single E GaN 100 15 3.5 8 发展
RP10G7A Single E GaN 100 7 6 16 开发完成
RP10G4A Single E GaN 100 4 10.5 60 发展
RP65G450A Single E GaN 650 450 0.8 4 发展
RP65G200A Single E GaN 650 200 1.6 8 发展
RG65G150A Single E GaN 650 150 2.2 11 开发完成
RP65G100A Single E GaN 650 100 3.3 15 发展
RP65G67A Single E GaN 650 67 4.5 22 发展
Variable Stacked Heat Sink Package
HS0 HS1 HS2 HS3
HS0 HS1 HS2 HS3
8X8X1.7 (mm) 8X8X2.7 (mm) 8X8X4.4 (mm) 8X8X6.1 (mm)

News


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