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전력반도체

GaN + SiC 소자

	주요 특성	시스템 적용시 효과
GaN / SiC 재료 특성	에너지 밴드차이 Si대비 3배 열에 강한재료 차세대 전력소자 재료	에너지 밴드차이 Si대비 3배 열에 강한재료 차세대 전력소자 재료
GaN+SiC 전력소자특성	Si 대비 저항 1/10 스위칭 특성 100배	Si 대비 저항 1/10 스위칭 특성 100배
RFsemi 전력패키지	적층형 히트싱크 내장형 VSHS* 패키지 굴뚝효과 방열 구조 원천특허 확보	적층형 히트싱크 내장형 VSHS* 패키지 굴뚝효과 방열 구조 원천특허 확보

VSHS* : Variable Stack Heat Sink Package

- RFsemi 원천특허 확보

- 적층형 히트 싱크 패키지

굴뚝효과 방열현상(VSHS)
VSHS 전력패키지

GaN+SiC 모듈형 전력소자

GaN과SiC를 활용한 RFsemi의 모듈형 전력 소자 으로 구성된다. 독자적 기술로 특허출원한 ‘적층형 히트싱크 패키지’를 활용하여 다음과 같은 특징을 가진다.

1. 세계 최고 수준의 열방출 특성을 통한 소형화 및 고효율 구현
2. 저저항/저인덕턴스 구현을 통한 고속 스위칭

GaN 전력소자	GaN 전력소자 + 게이트보호회로	GaN 전력소자 + 게이트보호회로 + Boost SiC SBD

GaN 전력소자 제품군

Part Number.	Configuration	VDS (V)	RDS_ON (mW)	QG (nC)	ID (A)	Status
RP10G73A	Single E GaN	100	73	0.7	1.7	개발 중
RP10G30A	Single E GaN	100	30	1.6	6	개발 중
RP10G15A	Single E GaN	100	15	3.5	8	개발 중
RP10G7A	Single E GaN	100	7	6	16	개발 완료
RP10G4A	Single E GaN	100	4	10.5	60	개발 중
RP65G450A	Single E GaN	650	450	0.8	4	개발 중
RP65G200A	Single E GaN	650	200	1.6	8	개발 중
RG65G150A	Single E GaN	650	150	2.2	11	개발 완료
RP65G100A	Single E GaN	650	100	3.3	15	개발 중
RP65G67A	Single E GaN	650	67	4.5	22	개발 중

Variable Stacked Heat Sink Package

HS0	HS1	HS2	HS3
8X8X1.7 (mm)	8X8X2.7 (mm)	8X8X4.4 (mm)	8X8X6.1 (mm)

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