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GaN + SiC 소자

  주요 특성 시스템 적용시 효과
GaN / SiC 재료 특성
  • 에너지 밴드차이 Si대비 3배
  • 열에 강한재료
  • 차세대 전력소자 재료
  • 에너지 밴드차이 Si대비 3배
  • 열에 강한재료
  • 차세대 전력소자 재료
GaN+SiC 전력소자특성
  • Si 대비
    • 저항 1/10
    • 스위칭 특성 100배
  • Si 대비
    • 저항 1/10
    • 스위칭 특성 100배
RFsemi 전력패키지
  • 적층형 히트싱크 내장형
    • VSHS* 패키지
  • 굴뚝효과 방열 구조
  • 원천특허 확보
  • 적층형 히트싱크 내장형
    • VSHS* 패키지
  • 굴뚝효과 방열 구조
  • 원천특허 확보

VSHS* : Variable Stack Heat Sink Package

- RFsemi 원천특허 확보

- 적층형 히트 싱크 패키지

  • 굴뚝효과 방열현상(VSHS)

  • VSHS 전력패키지

GaN+SiC 모듈형 전력소자

GaN과SiC를 활용한 RFsemi의 모듈형 전력 소자 으로 구성된다. 독자적 기술로 특허출원한 ‘적층형 히트싱크 패키지’를 활용하여 다음과 같은 특징을 가진다.

1. 세계 최고 수준의 열방출 특성을 통한 소형화 및 고효율 구현
2. 저저항/저인덕턴스 구현을 통한 고속 스위칭

GaN 전력소자 GaN 전력소자 + 게이트보호회로 GaN 전력소자 + 게이트보호회로 + Boost SiC SBD

GaN 전력소자 제품군

Part Number. Configuration VDS (V) RDS_ON (mW) QG (nC) ID (A) Status
RP10G73A Single E GaN 100 73 0.7 1.7 개발 중
RP10G30A Single E GaN 100 30 1.6 6 개발 중
RP10G15A Single E GaN 100 15 3.5 8 개발 중
RP10G7A Single E GaN 100 7 6 16 개발 완료
RP10G4A Single E GaN 100 4 10.5 60 개발 중
RP65G450A Single E GaN 650 450 0.8 4 개발 중
RP65G200A Single E GaN 650 200 1.6 8 개발 중
RG65G150A Single E GaN 650 150 2.2 11 개발 완료
RP65G100A Single E GaN 650 100 3.3 15 개발 중
RP65G67A Single E GaN 650 67 4.5 22 개발 중
Variable Stacked Heat Sink Package
HS0 HS1 HS2 HS3
HS0 HS1 HS2 HS3
8X8X1.7 (mm) 8X8X2.7 (mm) 8X8X4.4 (mm) 8X8X6.1 (mm)