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Diode

产品介绍

Transient Voltage Suppressor(TVS)二极管是保护电子器件免受过电压影响的元件,广泛应用于包括便携式设备在内的家电、电脑、通信、汽车等领域的产品。
RFsemi的TVS Diode具有钳位电压低(clamping voltage)和漏电流低的特点, 除了电源保护用, Battery电极保护用, Ear Mic及 speaker保护用以外,有超高速数据线路保护的TVS diode 等有多种产品,能满足 ESD(IEC61000-4-2)和 Surge(IEC61000-4-5)信赖性规格设计的产品。

产品结构

适用范围

  • SmartPhone
  • Laptop
  • Notebook, PC mainboard
  • Sound and graphic card

产品目录

  • General TVS Diodes
    Part No Package PKG Standard PKG dimension
    W x L x H (mm)
    Schmatic Vrwm(V) Vh Min(V) IR Max(㎂)
    @Vrwm
    Vbr Min(V) Cj Max(pF) Ipp Max(A) VC Max(V) Remark
    RD1301 P-0806 SOD-923 1.0 x 0.6 x 0.4 50_s_01.jpg 5 3.5 0.3 6 30 8 11
    RD1301B P-0806 SOD-923 1.0 x 0.6 x 0.4 50_s_16.jpg 5 5 0.25 5.5 20 5 10
    RD1301BA P-0806 SOD-923 1.0 x 0.6 x 0.4 50_s_16.jpg 5 3 1 5.5 20 3 13
    RDL1021 LLP1006 SOD-882 1.0 x 0.6 x 0.4 50_s_03.jpg 5 3.5 1 6 35 7 13
    RDL1031B LLP0603 0.62 x 0.32 x 0.25 50_s_04.jpg 5 - 0.05 6 9 9 14
    RDL1041B LLP1006 SOD-882 1.0 x 0.6 x 0.4 50_s_04.jpg 5 - 1 6 20 4 18
    RDL1051B LLP1006 SOD-882 1.0 x 0.6 x 0.4 50_s_04.jpg 3.3 2.8 0.1 3.5 13 6 13
    RDL1061B LLP1006 SOD-882 1.0 x 0.6 x 0.4 50_s_04.jpg 3.3 4.5 0.2 6 7 2 15
    RDL1071B LLP1006 SOD-882 1.0 x 0.6 x 0.4 50_s_04.jpg 5 5 1 5.5 20 3 13
    RDL1121B LLP0603 0.62 x 0.32 x 0.25 50_s_04.jpg 5 - 0.1 6 11 5 20
    RDL1151B LLP1006 1.0 x 0.6 x 0.4 50_s_03.jpg 5 - 0.1 5.5 30 12 14
    RDL1241B LLP1006 SOD-882 1.0 x 0.6 x 0.4 50_s_04.jpg 5 - 0.1 6 85 30 14
    RDL1261 LLP1006 SOD-882 1.0x0.6x0.4 new_02.png 36 0.1 38 20 2.5 57
    RDL1271 LLP1006 SOD-882 1.0 x 0.6 x 0.4 50_s_04.jpg 5.5 45 0.5 6.2 140 40 14
    RDL1271B LLP1006 SOD-882 1.0 x 0.6 x 0.4 50_s_04.jpg 3.3 3.5 0.5 3.5 50 40 10
    RDL1331B LLP0603 0.62 x 0.32 x 0.25 50_s_04.jpg 3.3 3.6 0.1 6 11 10 10
    RDL1401 LLP1006 SOD-882 1.0x0.6x0.4 new_01.png 10 0.1 11 150 20 20
    RDP1011 P-080605 SOT-923 1.0 x 0.6 x 0.5 50_s_02.jpg 5 - 1 6 20 5 18
    RDP1051B P-080605 SOD-923 1.0 x 0.6 x 0.5 50_s_02.jpg 3.3 4 0.15 6 10 5 22
    RDP1151B P-080604 SOD-923 1.0 x 0.6 x 0.4 50_s_02.jpg 5 0.1 5.5 30 12 14
  • Low Cap TVS Diodes
    Part No Package PKG Standard PKG dimension
    W x L x H (mm)
    Schmatic Vrwm(V) Vh Min(V) IR Max(㎂)
    @Vrwm
    Vbr Min(V) Cj Max(pF) Ipp Max(A) VC Max(V) Remark
    RDL1011B LLP1006 SOD-882 1.0 x 0.6 x 0.4 50_s_04.jpg 5 - 0.5 6 0.55 3 20
    RDL1012 LLP1610 SLP1610P4 1.6 x 1.0 x 0.6 50_s_09.jpg 5 - 1 6 0.8 1 15 Data line
    RDL1014 LLP2510 SLP2510P8 2.5 x 1.0 x 0.6 50_s_11.jpg 5 - 1 6 0.8 1 17 Data line
    RDL1081 LLP1006 SOD-882 0.1 x 0.6 x 0.4 50_s_03.jpg 5 0.3 6 1 5 20
    RDP1031 P-080605 SOD-923 1.0 x 0.6 x 0.5 50_s_02.jpg 5 - 0.5 6 0.55 3 20
    RDP1081 P-080605 SOD-923 1.0 x 0.6 x 0.5 50_s_01.jpg 5 0.3 6 1 5 20
  • PTVS(Power TVS) Diodes
    Part No Package PKG Standard PKG dimension
    W x L x H (mm)
    Schmatic Vrwm(V) IR Max(㎂)
    @Vrwm
    Vbr Min(V) Cj Max(pF) Ipp Max(A) VC Max(V) Remark
    RDL3011 LLP1610D 1.6 x 1.0 x 0.6 50_s_06.jpg 18 0.1 20 250 15 30 surge
    waveform
    8us/20us
    RDL3021 LLP1610D 1.6 x 1.0 x 0.6 50_s_06.jpg 26 0.1 28.5 - 13 42 surge
    waveform
    8us/20us
    RDL3031 LLP1610D 1.6 x 1.0 x 0.6 50_s_06.jpg 6 0.1 7 650 40 20 surge
    waveform
    8us/20us
    RDL3041 LLP1610D 1.6 x 1.0 x 0.6 50_s_06.jpg 5 0.1 6 300 25 18 surge
    waveform
    8us/20us
    RDL3051 LLP1610D 1.6 x 1.0 x 0.6 50_s_06.jpg 12 0.1 13 350 35 30 surge
    waveform
    8us/20us
    RDL3081 LLP2020B 2.0 × 2.0 × 0.6 50_s_6.jpg 26 0.1 28 600 9.5 40 surge
    waveform
    10us/1000us
    RDL3221 LLP2020F 2.0 x 2.0 x 0.6 new_03.png 26 0.1 28 800 120 47 surge
    waveform
    8us/20us
    RDP3011 P-2617 SOD123W 3.5 x 1.7 x 0.7 50_s_05.jpg 18 0.1 20 - 10 29.2 surge
    waveform
    10us/1000us
    RDP3021 P-2617 SOD123W 3.5 x 1.7 x 0.7 50_s_05.jpg 26 0.1 28.5 - 8.7 42 surge
    waveform
    10us/1000us
    RDP3031 P-1712A SOD-323F 2.5 × 1.2 × 0.7 50_s_05.jpg 6 0.1 7 650 40 20 surge
    waveform
    8us/20us
    RDP3041 P-1712A SOD-323F 2.5 × 1.2 × 0.7 50_s_05.jpg 5.5 0.2 6 300 25 18 surge
    waveform
    8us/20us
    RDP3051 P-1712A SOD-323F 2.5 × 1.2 × 0.7 50_s_05.jpg 12 0.1 13 350 35 30 surge
    waveform
    8us/20us
    RDP3101B P-1712A SOD-323F 2.5 × 1.2 × 0.7 50_s_05.jpg 4.5 0.5 5.2 250 84 22 surge
    waveform
    8us/20us
    RDP3111B P-1712A SOD-323F 2.5 × 1.2 × 0.7 50_s_05.jpg 4.5 0.5 4.6 210 80 20 surge
    waveform
    8us/20us
  • TVS Diode Array
    Part No Package PKG Standard PKG dimension
    W x L x H (mm)
    Schmatic Vrwm(V) Vh Min(V) IR Max(㎂)
    @Vrwm
    Vbr Min(V) Cj Max(pF) Ipp Max(A) VC Max(V) Remark
    RD1305 P-1612 SOT-563 1.6 x 1.6 x 0.5 50_s_12.jpg 5 3.5 1 6 40 8 13 Data line
    RD1305B P-1612 SOT-563 1.6 x 1.6 x 0.5 50_s_13.jpg 3.5 3.5 0.1 5 15 5 12
    RDL1015 LLP1610 SOT-886 1.6 x 1.0 x 0.6 50_s_14.jpg 5 3.5 0.1 6 16 3 10 Data line
    RDL1022B LLP1006 SOD-882 1.0 x 0.6 x 0.4 RDL1022B.jpg 3.3 3.5 0.5 6 22 12 10
    RDL1032 LLP1006C 1.0 x 0.6 x 0.4 new_04.png 10 0.1 10.5 20 11.5 20
    RDL1044B LLP1308 1.3 x 0.8 x 0.4 RDL1044B.jpg 3.3 3.5 0.1 4 10 9 10 Data line
    RDP1024 P-1612 SOT-563 1.6 x 1.6 x 0.5 50_s_18.jpg 5 3.5 1 6 40 8 13 Data line
    RDP1024B P-1612 SOT-563 1.6 x 1.6 x 0.5 50_s_19.jpg 3.5 3.5 0.5 5 15 5 12 Data line
    RDP1025B P-1612 SOT-563 1.6 x 1.6 x 0.5 50_s_20.jpg 3.3 3.5 0.1 3.5 20 9.5 11

产品介绍

齐纳二极管正向偏压时与一般二极管相同的特性, 当反向偏压达到一定数值时,电流突然增大,在齐纳二极管中就会出现齐纳击穿。 反向电流大幅变化, 端子电压的变化也较小,于是适用于构成恒定电压源。

产品特性

适用范围

  • Smartphone
  • Laptop
  • Headset / Earphone
  • Digital Camera

产品目录

Part No Package PKG Standard PKG dimension
W x L x H (mm)
Schematic Vrwm(V) IR Max(㎂) Vbr Min(V) Cj Max(pF) Zener Impednace(Ω) Remark
RDP2011 P-0806 SOD-923 1.0 x 0.6 x 0.4 new_05.png 10 1 11 25
RDP2021 P-0806 SOD-923 1.0 x 0.6 x 0.4 50_s_01.jpg 9 0.5 11.4 30 -
RDP2031 P-1712A SOD-323F 2.5 x 1.2 x 0.7 50_s_05.jpg - 5 5.2 275 7
RDP2041 P-1712A SOD-323F 2.5 x 1.2 x 0.7 new_06.png 36 0.1 38 20

产品介绍

一般的二极管是由P型和N型半导体的结(PN结)制成的,而SBD(肖特基势垒二极管)是由金属(金属)和Si(半导体)的结制成的。

产品特性

SBD(Schottky Barrier Diode)的特性是类似于PN结合的整流特性, 但内部有很大的差别. PN结合二极管 通过多数载体和少数载体移动电荷, 但是SBD(Schottky Barrier Diode )是因为是UNI-Polar 元件,可高速动作,因此在高频领域使用容易。
SBD(Schottky Barrier Diode)的另一个显著的特点是正反向电压低. 反向电压比PN结合二极管相比低1位数字, 正向电压是相对来只有一半左右。

产品特性

适用范围

  • Smartphone
  • Laptop
  • Headset / Earphone
  • Digital Camera

产品目录

Part No Package PKG Standard PKG dimension
W x L x H (mm)
Schematic IF (mA) VF (V) IR (㎂) Vbr (V) Cj Max (pF) Remark
RDP4021 P1712 SOD-323F 2.5 x 1.2 x 0.7 50_s_17.jpg 500 @ 0.5V 0.27 @ 10mA 150 @ VR=40V 40 50 @ 1V
RDP4031 P1712 SOD-323F 2.5 x 1.2 x 0.7 50_s_17.jpg 2000 @ 0.55V 0.3 @ 100mA 200 @ VR=20V 20 60 @ 5V
RRDP4011 P-0806 SOD-923 1.0 x 0.6 x 0.5 50_s_17.jpg 25 @ 0.5V 0.3 @ 2mA 10 @ VR=10V 20 5 @ 0.2V

News


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