Power semiconductor
GaN + SiC 器件
| 主要特性 | 应用系统时的效果 | |
|---|---|---|
| GaN/SiC材料特性 |
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| GaN+SiC功率器件特性 |
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| RFsemi 功率封装 |
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VSHS* : Variable Stack Heat Sink Package
- RFsemi 确保原创专利
- 堆叠式散热器封装
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烟囱效应散热(VSHS)
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VSHS* 封装
GaN+SiC模块化功率器件
它由 RFsemi 使用 GaN 和 SiC 的模块化功率器件组成。采用已申请专利的“叠层散热封装”作为一项独立技术，具有以下特点。
1. 通过世界一流的散热特性实现小型化和高效率
2. 通过低电阻/低电感实现高速开关
| GaN 功率器件 | GaN 功率器件 + 栅极保护电路 | GaN 功率器件 + 栅极保护电路 + Boost SiC SBD |
|---|---|---|
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GaN 功率器件产品系列
| Part Number. | Configuration | VDS (V) | RDS_ON (mW) | QG (nC) | ID (A) | Status |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RP10G73A | Single E GaN | 100 | 73 | 0.7 | 1.7 | 发展 |
| RP10G30A | Single E GaN | 100 | 30 | 1.6 | 6 | 发展 |
| RP10G15A | Single E GaN | 100 | 15 | 3.5 | 8 | 发展 |
| RP10G7A | Single E GaN | 100 | 7 | 6 | 16 | 开发完成 |
| RP10G4A | Single E GaN | 100 | 4 | 10.5 | 60 | 发展 |
| RP65G450A | Single E GaN | 650 | 450 | 0.8 | 4 | 发展 |
| RP65G200A | Single E GaN | 650 | 200 | 1.6 | 8 | 发展 |
| RG65G150A | Single E GaN | 650 | 150 | 2.2 | 11 | 开发完成 |
| RP65G100A | Single E GaN | 650 | 100 | 3.3 | 15 | 发展 |
| RP65G67A | Single E GaN | 650 | 67 | 4.5 | 22 | 发展 |
| Variable Stacked Heat Sink Package | |||
|---|---|---|---|
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| HS0 | HS1 | HS2 | HS3 |
| 8X8X1.7 (mm) | 8X8X2.7 (mm) | 8X8X4.4 (mm) | 8X8X6.1 (mm) |
News
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